國家科技支撐計劃“通信光電子器件的關(guān)鍵工藝與支撐技術(shù)研究”項目順利通過驗收
2013年7月30日，“十一五”信息領(lǐng)域國家科技支撐計劃“通信光電子器件的關(guān)鍵工藝與支撐技術(shù)研究”項目驗收會在武漢順利召開。會議由科技部高新司組織召開，湖北省科技廳、項目責(zé)任專家及相關(guān)課題承擔(dān)單位研究人員參加了會議。
該項目由武漢郵電科學(xué)研究院、華中科技大學(xué)等國內(nèi)多家優(yōu)勢單位共同承擔(dān)。目前，該項目已成功開發(fā)出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的基于納米壓印技術(shù)的DWDM DFB激光器、低成本APD芯片、寬溫度范圍DFB激光器芯片、陣列波導(dǎo)光柵芯片、色散補償光纖和40G DQPSK調(diào)制器及解調(diào)器，全面掌握了多量子阱DFB激光器、高速APD探測器和陣列波導(dǎo)光柵等核心產(chǎn)品的關(guān)鍵制造工藝和技術(shù)，并攻克了關(guān)鍵光電子器件制造的“空芯化”問題，對于大幅提高產(chǎn)品成品率，有效降低器件制造成本具有重要意義。項目所研制各項產(chǎn)品性能指標均與國際水平接軌，已初步實現(xiàn)了規(guī)?；慨a(chǎn)并在國內(nèi)外市場得到了廣泛應(yīng)用，累計實現(xiàn)6億元銷售額，為形成具有規(guī)?；a(chǎn)能力的通信光電子器件產(chǎn)業(yè)基地奠定了堅實基礎(chǔ)。
該項目的順利實施，對于全面提升我國核心光電子芯片技術(shù)水平和自主提供能力、保持通信光電子產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展具有重要意義。
